一些核心技术尚未完全掌握，安全部分关键设备仍需要进口，一些已能自主生产的节能环保设备性能和效率有待提高。

设备市场（5）量化ARBs的成本和可靠性。将保（2）量化电极界面反应行为。

图十、持高添加剂改性的水系电解液©2023ACSpublication（a）21mLiFTFSI-H2OWiSE和1.9m[LiTFSI-H2O]-1,4-dioxane电解液的溶剂化结构及界面化学示意图（b）环丁砜添加剂诱导LiTFSI电解液中Li+溶剂化结构变化示意图。增长（e）加入摩尔分数为0.5的DMSO添加剂前后2mNaClO4电解液溶剂化结构及界面反应。安全（f）以5mVs-1的扫描速率的不同电解液的电化学窗口测试。

（e-g）30mKFSI、设备市场4mMg(TFSI)2和5mAl(OTf)3的定量化溶剂化结构及界面模型。图三、将保超高浓度电解液（WiSEs）的应用©2023ACSpublication（a）低浓度电解液和WiSEs的溶剂化结构示意图。

持高（c）5mAl(OTf)3WiSE的溶剂化结构示意图。

增长（c）4.5mLiTFSI-CO(NH2)2-H2O共晶电解液的溶剂化结构示意图。因此，安全识别效率损失的来源并针对其进行抑制是实现高性能器件的关键。

图4.（a）2D-HQAO、设备市场（b）2D-DQAO，（c）2D-OQAO和（d）2D-SQAO的KS态（左面板）和FT（右面板）声子诱导的VBM和CBM波动的能量演变。（b）2D-HQAO、将保2D-DQAO、2D-OQAO和2D-SQAO中的e-h非辐射复合动力学。

图3.（a）空穴传输层的能级排列（上图）、持高偶极矩（左下图）和有效质量（右下图）。并且，增长在供电子基团系统中引入的低频声子降低了非绝热耦合量，进而抑制了非辐射复合。